要编写ARM裸机程序并控制闪存写入，您可以按照以下步骤进行操作：

1. 确保您已安装ARM交叉编译器。您可以从ARM官方网站上下载适用于您的开发环境的编译器。

2. 创建一个新的裸机项目，并在项目目录中创建一个源代码文件（例如main.c）。

3. 在main.c文件中，包含适当的头文件，如stm32fxxx.h（取决于您使用的ARM芯片型号）。

4. 在main.c文件中，定义一个用于控制闪存写入的函数。以下是一个示例函数：

#include "stm32fxxx.h"

void write_to_flash(uint32_t address, uint32_t data) {
  // 停止闪存写入
  FLASH->CR &= ~FLASH_CR_PG;

  // 检查闪存是否繁忙
  while(FLASH->SR & FLASH_SR_BSY);

  // 启用闪存编程
  FLASH->CR |= FLASH_CR_PG;

  // 写入数据到指定地址
  *((volatile uint32_t*)address) = data;

  // 等待闪存编程完成
  while(FLASH->SR & FLASH_SR_BSY);

  // 禁用闪存编程
  FLASH->CR &= ~FLASH_CR_PG;
}

5. 在main函数中，调用write_to_flash函数并传入要写入的地址和数据。以下是一个示例main函数：

int main(void) {
  uint32_t address = 0x08008000; // 要写入的地址
  uint32_t data = 0x12345678; // 要写入的数据

  // 初始化系统和闪存

  // 调用写入闪存函数
  write_to_flash(address, data);

  while(1) {
    // 循环执行其他任务
  }
}

请注意，上述示例代码是基于STM32系列ARM芯片的。如果您使用不同的ARM芯片，您需要根据芯片的文档和寄存器定义进行适当的修改。

此外，为了使闪存写入功能正常工作，您还需要实现系统初始化，并确保闪存编程和擦除的地址范围是正确的。具体步骤可能会有所不同，取决于您使用的ARM芯片和开发环境。您可以参考芯片的参考手册或开发环境的文档，以获取更详细的指导。