4月16日，美国唯一一家专门从事传感器、电源和高压半导体代工厂商Polar Semiconductor（“Polar”）宣布，已与瑞萨电子株式公司（简称“瑞萨电子”）敲定一项战略协议，授权其硅基氮化镓 D 型 （GaN-on-Si） 技术。

作为该协议的一部分，Polar 将在其位于明尼苏达州的 200 毫米车规级大批量制造工厂为瑞萨电子和其他客户制造高压 650V 级硅基氮化镓器件。该工厂最近扩建了最先进的加工和自动化设备，旨在满足对下一代半导体解决方案日益增长的需求。

Polar和瑞萨电子将共同扩大GaN器件的商业生产规模，扩大其在关键行业的使用，包括汽车、数据中心、消费者、工业以及航空航天和国防市场。该协议确保美国拥有可靠的国内来源来获取这种尖端半导体技术。

通过成本效率和扩展到 200 毫米制造实现的创新器件架构，将加速 GaN 技术的市场采用。通过利用 Polar 的制造专业知识和瑞萨电子成熟的功率半导体技术和商业领先地位，这种战略合作可确保客户安全供应具有成本竞争力、卓越品质和高性能的 GaN 器件晶圆。

Polar Semiconductor 总裁兼首席运营官 Surya Iyer 表示：“这项许可和商业生产协议强调了我们对加强国内半导体生态系统的承诺。GaN 是电源和射频领域改变游戏规则的技术，与瑞萨电子合作，我们有能力提高商业生产，确保关键防御计划的安全，并推动下一波半导体创新。”

瑞萨电子电源产品集团高级副总裁兼总经理Chris Allexandre说：“我们很高兴与Polar合作，将我们经过验证的氮化镓技术扩展到200毫米晶圆，并在广泛的电源转换市场中利用我们的专业知识，从基础设施和人工智能到能源和工业到电动汽车和电动汽车到高价值物联网。此次合作确保了强大的美国 GaN 产品制造能力，为我们的客户提供多源采购，并满足对高性能电源解决方案日益增长的需求。”

编辑：芯智讯-浪客剑