金融界2025年5月13日消息，国家知识产权局信息显示，润新微电子（大连）有限公司申请一项名为“一种晶圆的制备方法”的专利，公开号CN119965197A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本发明属于半导体技术领域，公开了一种晶圆的制备方法，包括如下步骤：制备晶圆过渡结构，再在晶圆过渡结构的过渡层上进行图形化刻蚀，形成漏电极第三电极；再从晶圆过渡结构的第二介电层向下刻蚀出栅电极开窗口、源电极开窗口，或，刻蚀出栅电极开窗口、源电极开窗口及漏电极开窗口，得到晶圆；晶圆过渡结构的过渡层覆盖部分晶圆过渡结构的正面，晶圆过渡结构的正面短接作为晶圆过渡结构的上电极，晶圆过渡结构的背面短接作为晶圆过渡结构的下电极；晶圆过渡结构和晶圆均包括多个芯片，芯片的第一电阻电极为三端连接，芯片的第二电阻电极贯穿叠层结构和第一介电层，芯片的第二电阻电极的一端位于衬底中，另一端位于第二介电层中。

天眼查资料显示，润新微电子（大连）有限公司，成立于2016年，位于大连市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本13097.1707万人民币。通过天眼查大数据分析，润新微电子（大连）有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目14次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息55条，此外企业还拥有行政许可17个。

来源：金融界