重庆芯联微申请晶体管性能测试相关专利，提升晶体管制备良率
创始人
2025-05-16 20:23:33
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金融界2025年5月16日消息，国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“晶体管性能测试方法及晶体管性能测试系统”的专利，公开号CN119986295A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，本申请提供一种晶体管性能测试方法及晶体管性能测试系统，其中，晶体管性能测试方法包括：基于偶数级环形振荡器输出的测试信号，获取测试信号经过预设的振荡时段后的信号状态；根据信号状态，获取晶体管的性能偏向结果；若信号状态为维持高电平，则性能偏向结果为PMOS管的性能优于NMOS管，若信号状态为维持低电平，则性能偏向结果为NMOS管的性能优于PMOS管，若信号状态为维持振荡，则性能偏向结果为PMOS管和NMOS管性能均衡，从而基于晶体管的性能偏向结果调节晶体管的制备工艺，从而提升晶体管的制备良率。
天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目696次，专利信息105条，此外企业还拥有行政许可12个。
来源：金融界
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