重庆芯联微申请晶体管性能测试相关专利,提升晶体管制备良率
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2025-05-16 20:23:33
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金融界2025年5月16日消息,国家知识产权局信息显示,重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“晶体管性能测试方法及晶体管性能测试系统”的专利,公开号CN119986295A,申请日期为2025年1月。

专利摘要显示,本申请提供一种晶体管性能测试方法及晶体管性能测试系统,其中,晶体管性能测试方法包括:基于偶数级环形振荡器输出的测试信号,获取测试信号经过预设的振荡时段后的信号状态;根据信号状态,获取晶体管的性能偏向结果;若信号状态为维持高电平,则性能偏向结果为PMOS管的性能优于NMOS管,若信号状态为维持低电平,则性能偏向结果为NMOS管的性能优于PMOS管,若信号状态为维持振荡,则性能偏向结果为PMOS管和NMOS管性能均衡,从而基于晶体管的性能偏向结果调节晶体管的制备工艺,从而提升晶体管的制备良率。

天眼查资料显示,重庆芯联微电子有限公司,成立于2023年,位于重庆市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析,重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目696次,专利信息105条,此外企业还拥有行政许可12个。

来源:金融界

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