江城芯片取得半导体刻蚀装置专利,为晶圆提供真空环境
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2025-06-03 15:00:36
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金融界2025年6月2日消息,国家知识产权局信息显示,湖北江城芯片中试服务有限公司取得一项名为“半导体刻蚀装置”的专利,授权公告号CN222927434U,申请日期为2024年08月。

专利摘要显示,本公开实施例公开了一种半导体刻蚀装置,该半导体刻蚀装置包括:刻蚀腔室,刻蚀腔室用于刻蚀晶圆;真空腔室,真空腔室与刻蚀腔室连接;真空腔室用于为晶圆提供真空环境;装载互锁腔室,装载互锁腔室与真空腔室连接;装载互锁腔室用于从真空腔室卸载完成刻蚀的晶圆;净化腔室,净化腔室用于净化完成刻蚀的晶圆,以去除完成刻蚀的晶圆表面残留的刻蚀副产物;其中,净化腔室的位置包括真空腔室和刻蚀腔室连接处、真空腔室内、真空腔室和装载互锁腔室的连接处中的至少一种。

来源:金融界

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