江城芯片取得半导体刻蚀装置专利，为晶圆提供真空环境
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2025-06-03 15:00:36
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金融界2025年6月2日消息，国家知识产权局信息显示，湖北江城芯片中试服务有限公司取得一项名为“半导体刻蚀装置”的专利，授权公告号CN222927434U，申请日期为2024年08月。
专利摘要显示，本公开实施例公开了一种半导体刻蚀装置，该半导体刻蚀装置包括：刻蚀腔室，刻蚀腔室用于刻蚀晶圆；真空腔室，真空腔室与刻蚀腔室连接；真空腔室用于为晶圆提供真空环境；装载互锁腔室，装载互锁腔室与真空腔室连接；装载互锁腔室用于从真空腔室卸载完成刻蚀的晶圆；净化腔室，净化腔室用于净化完成刻蚀的晶圆，以去除完成刻蚀的晶圆表面残留的刻蚀副产物；其中，净化腔室的位置包括真空腔室和刻蚀腔室连接处、真空腔室内、真空腔室和装载互锁腔室的连接处中的至少一种。
来源：金融界
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