SK纳力世申请铜箔及相关产品制法专利，提供特定氢空位量的铜箔
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2025-07-02 22:40:30
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金融界2025年7月2日消息，国家知识产权局信息显示，SK纳力世有限公司申请一项名为“铜箔、含该铜箔的电极、含该电极的二次电池及其制法”的专利，公开号CN120231102A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明涉及铜箔、含该铜箔的电极、含该电极的二次电池及其制法。本发明的一实施例提供一种铜箔，是具有粗糙面和光面的铜膜，在所述粗糙面中深度为30nm至45nm处的氢空位量是80至250counts，在所述光面中深度为30nm至45nm处的氢空位量是3至20counts。所述氢空位量是指利用TOF‑SIMS(Time Of Flight‑Secondary Ion Mass Spectrometry)从粗糙面和光面远离的一定溅射深度处测定的氢离子数。
来源：金融界
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