中微公司获得发明专利授权:“半导体器件及其形成方法”
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2025-07-08 10:00:25
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证券之星消息,根据天眼查APP数据显示中微公司(688012)新获得一项发明专利授权,专利名为“半导体器件及其形成方法”,专利申请号为CN202011294526.7,授权日为2025年7月8日。

专利摘要:本发明公开了一种半导体器件及其形成方法,该方法包含:提供一衬底,该衬底上设置有介电质层,其包含至少一开口,开口内充满有机涂层,部分所述介电质层上具有图形层;通入沉积气体和稀释气体,在所述的介电质层和所述的有机涂层的表面、以及所述的图形层的侧壁和顶部表面形成保护层,其中,所述图形层侧壁和顶部表面保护层、介电质层表面保护层的厚度均大于所述有机涂层表面保护层的厚度。本发明在小孔刻蚀前,通过通入沉积气体、稀释气体,在介电质层表面、图形层的侧壁和顶部表面沉积一层聚合物保护层,开口顶部的有机涂层上沉积很少几乎没有,由于保护层的阻挡,可以兼顾增加小孔刻蚀能力并降低介电质层、图形层的薄膜损伤。

今年以来中微公司新获得专利授权83个,较去年同期增加了5.06%。结合公司2024年年报财务数据,2024年公司在研发方面投入了14.18亿元,同比增73.59%。

通过天眼查大数据分析,中微半导体设备(上海)股份有限公司共对外投资了28家企业,参与招投标项目66次;财产线索方面有商标信息98条,专利信息1505条,著作权信息13条;此外企业还拥有行政许可76个。

数据来源:天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理,由AI算法生成(网信算备310104345710301240019号),不构成投资建议。

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