金融界2025年7月10日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司;华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“功率器件及其制备方法”的专利，公开号CN120282506A，申请日期为2025年03月。

专利摘要显示，本申请提供一种功率器件及其制备方法，其中在制备方法中，在第一至第四接触孔的底部形成离子注入区之前，通过对形成第一至第四接触孔之后的半导体结构进行离子注入工艺，以在第一至第四接触孔的底部分别形成非晶区，这样可以预先将第一至第四接触孔底部的硅原子的排列顺序打乱，避免产生沟道效应，使得体区底部最终的电场分布更加均匀，从而可以在保证短沟道结构的基础上，提高击穿电压，降低电压击穿数值的波动，从而改善器件的抗击穿性能。

天眼查资料显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目373次，专利信息28条，此外企业还拥有行政许可226个。

华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2924次，专利信息1690条，此外企业还拥有行政许可117个。

来源：金融界