华虹半导体申请功率器件及其制备方法专利,改善器件的抗击穿性能
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2025-07-10 13:40:29
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金融界2025年7月10日消息,国家知识产权局信息显示,华虹半导体制造(无锡)有限公司;华虹半导体(无锡)有限公司申请一项名为“功率器件及其制备方法”的专利,公开号CN120282506A,申请日期为2025年03月。

专利摘要显示,本申请提供一种功率器件及其制备方法,其中在制备方法中,在第一至第四接触孔的底部形成离子注入区之前,通过对形成第一至第四接触孔之后的半导体结构进行离子注入工艺,以在第一至第四接触孔的底部分别形成非晶区,这样可以预先将第一至第四接触孔底部的硅原子的排列顺序打乱,避免产生沟道效应,使得体区底部最终的电场分布更加均匀,从而可以在保证短沟道结构的基础上,提高击穿电压,降低电压击穿数值的波动,从而改善器件的抗击穿性能。

天眼查资料显示,华虹半导体制造(无锡)有限公司,成立于2022年,位于无锡市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析,华虹半导体制造(无锡)有限公司参与招投标项目373次,专利信息28条,此外企业还拥有行政许可226个。

华虹半导体(无锡)有限公司,成立于2017年,位于无锡市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析,华虹半导体(无锡)有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目2924次,专利信息1690条,此外企业还拥有行政许可117个。

来源:金融界

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