芯片制造用最核心的设备之一光刻机，发展到现在，已经经历了6代。

每一代都对应着不同的芯片工艺，比如干式DUV光刻机，是第四代，也就是ArF光刻机，采用193nm波长，可以用于制造65nm的芯片。

而第五代则是ArFi光刻机，也称之为浸润式DUV光刻机，同样是193nm的波长，但经过一层水的介质后，等效于134nm，可以用于制造7nm，甚至5nm的芯片。

但5nm以下的芯片，浸润式DUV光刻机就真的不行了，必须使用到第六代，也就是EUV光刻机。

目前能够制造EUV光刻机的厂商，全球就ASML一家，而能制造浸润式DUV光刻机的厂商，除了ASML之外，还有尼康一家。

而中国大陆的水平，还在干式DUV光刻机，也就是理论工艺65nm，通过多重曝光后，理论是28nm的水平。

这对于我们而言，肯定是不够的，所以一直以来，别说EUV光刻机，大家都期待能够国产浸润式DUV光刻机。

不过，从现在的情况来看，国产浸润式DUV光刻机，应该只差最后一步了。

一台光刻机，有三大核心，分别是光源系统、物镜系统、工作台这么三部分。

干式DUV光刻机，国内已经能够制造了。所以干式DUV的光源系统，物镜系统，工作台，我们的技术都实现了。

而浸润式DUV光刻机，与干式DUV光刻机，只有一个区别，那就是多了一套浸润式系统，这套浸润式系统，说的简单一点，就是在晶圆上加了一层水。

193nm波长的光线，通过这层水折射变，变成了134nm，然后再去照射硅晶圆，将光掩模板上的芯片电路图，刻录至硅晶圆上。

很明显，只要搞定了浸润式系统，再利用现有的光源系统，物镜系统，工作台，不就是浸润式DUV光刻机了么？

所以说，真的只差最后一步了，但是这一步并不容易，因为浸润式系统，说起来就是一层水，但这一套系统可不简单，涉及到了力学、材料学、物理学、光学等。

但不管怎么样，这一步我们一定会跨过去的，估计时间也不会太久了，毕竟ASML 20年前的技术，我们没道理还搞不定嘛。