来源：环球网

【环球网科技综合报道】2月2日消息，南京大学集成电路学院信息显示，南京大学-苏州实验室王欣然、李涛涛团队与东南大学王金兰团队合作，开发了全新的氧辅助金属有机化学气相沉积（oxy-MOCVD）技术，解决了二维半导体量产化制备的动力学瓶颈。

据悉，相关成果以“氧辅助金属有机化学气相沉积加速二硫化钼动力学生长”（Kinetic acceleration of MoS2 growth by oxy-metal-organic chemical vapor deposition）为题于2026年1月30日发表在Science。这是该团队继2025年10月在Science发表成果后取得的又一重大突破，标志着二维半导体产业化技术迈入全新阶段。

据南京大学集成电路学院介绍，二维半导体的产业化制备长期以来面临两大挑战。一方面，需要大尺寸、低对称性的衬底作为外延模板，保证薄膜的定向生长。2025年10月，该团队报道“稀土原子点石成晶”技术，一举解决了外延衬底问题（Science 390, eaea0849 (2025)）。另一方面，二维材料的原子级厚度使其对生长动力学极其敏感。产业化MOCVD技术长期受困于晶畴小、速率低、碳污染严重等问题，其根源在化学反应动力学限制。因此，理性设计前驱体，破解动力学瓶颈，是二维半导体走向产业化的必经之路。

针对上述难题，团队提出全新解决方案：首次采用无氢、低碳的二硫化碳（CS2）作为硫源，从源头减少杂质引入。进一步开发oxy-MOCVD技术，通过引入氧气，在高温下与前驱体充分预反应，生成高纯度和高活性反应中间体，实现了生长动力学的精准调控。相比传统反应路径，反应能垒从2.02 eV降至1.15 eV，显著提升反应动力学速率；同时从根源上抑制含碳中间体的形成，避免碳污染，为大面积、高质量、高均匀性MoS2的外延生长筑牢根基。

该成果与团队2025年发表的“点石成晶”技术共同构建了“衬底工程+动力学调控”完整技术路线，为二维半导体量产化提供核心支撑，将加速其在埃米级集成电路等领域的应用进程，为我国在下一代半导体技术竞争中构筑核心优势。（思瀚）