2月9日，第三方市场研究机构Counterpoint发布的《2月内存价格追踪报告》显示，与2025年第四季度相比，截至2026年第一季度目前，内存价格已暴涨80%-90%，其中DRAM、NAND及HBM均创下历史新高。

Counterpoint指出，本轮上涨的主要推手是通用服务器DRAM价格大幅攀升。此外，第四季度表现相对平稳的NAND闪存，在第一季度也同步上涨 80%–90%。叠加部分HBM3e产品价格走高，市场正呈现全品类、全板块全面加速上涨态势。

由于DRAM价格高涨，Counterpoint在报告中称，2025年第四季度，传统DRAM利润率已超过HBM；预计2026年第一季度，厂商营业利润率将触及历史峰值，同时实现创纪录的盈利水平。

以服务器级内存为例，64GB RDIMM合约价已从去年第四季度的450美元，飙升至今年第一季度的900美元以上，且二季度有望突破 1000美元关口。

此外，高盛近日大幅上调了DRAM供应短缺预期，最新预测显示，2026年和2027年DRAM供不应求幅度将达到4.9%和2.5%，远超此前预期的3.3%和1.1%。其中，“2026年的供应短缺将是过去15年以来最严重的一次。”

不过，存储芯片价格上涨，对原始设备制造商（OEM）带来很大压力。

Counterpoint高级分析师Jeongku Choi 强调：“对设备厂商而言，这是双重打击——零部件成本上涨叠加消费者购买力减弱，随着本季度推进，需求很可能放缓。这就要求原始设备制造商（OEM）改变采购模式，或聚焦高端机型，通过为消费者提供更多价值来支撑更高的产品定价。”

Counterpoint指出，智能手机厂商正在削减设备DRAM容量，或采用性价比更高的QLC方案替代TLC固态硬盘。与此同时，目前供应紧张的LPDDR4订单明显下滑，而支持最新DRAM标准的全新入门级芯片陆续推出，带动LPDDR5订单持续增长。

除了内存减配外，由于市场需求疲软，各大手机厂商今年都传出下调全年手机出货量。

Jeongku Choi进一步指出：“存储器行业盈利水平预计将达到前所未有的高度。2025年第四季度，DRAM营业利润率已达到60%区间，这是通用DRAM利润率首次超过HBM。2026年第一季度，DRAM利润率将首次突破历史峰值。尽管如此，这一水平要么成为新的常态，要么形成极高的基准——当前看似稳固，但一旦进入下一轮下行周期（若发生），市场表现可能会更加惨淡。”

编辑：邬嘉宏