荣芯半导体申请半导体器件及其制作方法专利,改善漏电问题
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2026-02-16 06:40:21
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国家知识产权局信息显示,荣芯半导体(淮安)有限公司申请一项名为“半导体器件及其制作方法”的专利,公开号CN121510638A,申请日期为2025年11月。

专利摘要显示,本申请提供一种半导体器件及其制作方法。该半导体器件中,栅极结构位于基底上且包括第一环形栅极和多个连接条,多个连接条间隔地沿着第一环形栅极的内侧壁排布,每个连接条的一端连接第一环形栅极,第一环形栅极和多个连接条限定出多个体区开口,各个体区位于相应的体区开口对应的基底内,源极区位于第一环形栅极外侧的基底中,漏极区位于第一环形栅极内侧的基底中。这样利用栅极结构可以实现体区的自对准注入,可以精确控制器件的沟道宽度,精确控制夹断电压,改善漏电问题以及优化导通电阻,提高半导体器件的电性能。该制作方法可以制作上述的半导体器件。

天眼查资料显示,荣芯半导体(淮安)有限公司,成立于2021年,位于淮安市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本750000万人民币。通过天眼查大数据分析,荣芯半导体(淮安)有限公司参与招投标项目17次,专利信息52条,此外企业还拥有行政许可40个。

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来源:市场资讯

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