国家知识产权局信息显示，英诺赛科（苏州）半导体有限公司取得一项名为“一种功率器件”的专利，授权公告号CN224356567U，申请日期为2025年6月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种功率器件，功率器件包括：栅极结构，栅极结构包括掺杂的氮化物半导体层和栅极；掺杂的氮化物半导体层覆盖部分势垒层；栅极位于掺杂的氮化物半导体层远离衬底的一侧，栅极至少覆盖部分掺杂的氮化物半导体层；第一应变层至少覆盖栅极的侧面和栅极远离衬底的表面；间隔层，间隔层位于第一应变层远离衬底的一侧；间隔层覆盖第一应变层；第二应变层，第二应变层位于间隔层远离衬底的一侧，第二应变层至少覆盖间隔层和部分势垒层远离衬底的表面；其中，沿第一方向，第一应变层的厚度大于第二应变层的厚度，和/或，第一应变层的介电常数大于第二应变层的介电常数。本实用新型可以在降低栅极漏电的同时，改善器件的动态性能。

天眼查资料显示，英诺赛科（苏州）半导体有限公司，成立于2017年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本440000万人民币。通过天眼查大数据分析，英诺赛科（苏州）半导体有限公司参与招投标项目40次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息296条，此外企业还拥有行政许可51个。

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