近日，有媒体报道称，截止至2025年，国内芯片设备的国产化率大约在30%左右，而预计到2026年，这个比例会提高到35%。

当然，这个比例指的是新建的芯片生产线上的国产化率，不包括老的生产线。

老的生产线，还是以国外的设备为主，毕竟芯片生产线也相当于一个生态，半途中一般不会进行切换，除非买不到设备了。

但是，大家要注意的是，虽然整体的国产化率高达35%，但有一种设备，其国产化率，却依然不到5%，几乎全部依赖进口，它就是光刻机。

2024年、2025年这两年，中国进口的光刻机金额都是超过100亿美元的，2024年是107亿美元，2025年是106亿美元。

2026年，预计会少一点，但并不是因为我们的自给率提高了，而是在过去几年，我们从ASML购买了大量的光刻机。

如下图所示，这是最近5年，中国从ASML购买的光刻要金额，可以看到高达300亿欧元，也就是2000多亿元人民币。

过去囤积的多，所以2026年相对从ASML买的少了一点，并不是因为自给率提升了。

从技术上来看，目前国内的水平，还处于干式DUV阶段，连浸润式DUV都没有，而干式DUV远远满足不了我们的需求，干式DUV，通过多重曝光，也最多能够达到28nm的水平。

浸润式DUV通过多重曝光，才能进入7nm，而进入5nm工艺，最好的是需要EUV光刻机才行。

所以说，目前国内的光刻机，确实还满足不了需求，技术远远不够。

那么为何光刻机研发这么难呢？原因就是光刻机确实复杂，是光学、力学、物理学等等的结合，而中国被打压，需要搞定整个供应链，太难了。不像ASML，是整合全球供应链一起的，ASML实际上自研的元件，只占光刻机的20%，另外的80%都是整合而来，而我们没有这个条件。

不过，光刻机再难，我们也必须突破，否则我们就一直无法进入先进工艺领域，至于突破浸润式DUV,突破EUV要多久，那就谁也不知道，只能是拭目以待。