国家知识产权局信息显示，比亚迪半导体股份有限公司申请一项名为“半导体器件的终端结构及其制造方法、半导体器件、功率模块、电力电子器件和车辆”的专利，公开号CN121262867A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件的终端结构及其制造方法、半导体器件、功率模块、电力电子器件和车辆，半导体器件的终端结构，包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层，外延层在第一方向上位于衬底上；以及场限环结构，场限环结构在第一方向上位于外延层中，场限环结构环绕有源区设置，场限环结构包括第二导电类型的第一阱区，第一阱区内设有多个第一导电类型的掺杂区，多个第一导电类型的掺杂区沿与第一方向垂直的第二方向间隔排布。该半导体器件的终端结构，能够改善表面掺杂和表面电场分布、降低电场峰值和漏电，提升终端结构的效率，进而能够在较小终端结构的尺寸下保持高耐压。

天眼查资料显示，比亚迪半导体股份有限公司，成立于2004年，位于深圳市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本45621.8756万人民币。通过天眼查大数据分析，比亚迪半导体股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目511次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息1474条，此外企业还拥有行政许可109个。

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