1月14日消息，据韩国媒体《朝鲜日报》报导，市场调查机构Omdia 最新公布调查数据显示，今年三大DRAM原厂的晶圆总产出将达1800万片，同比增长约5%，但是仍难以满足的市场的需求。

其中，韩国三星电子计划在2026年将DRAM 的晶圆（Wafer）产量提升至793万片，较2025年的759万片增长约5%。这一增长主要依赖于平泽工厂（Pyeongtaek Campus）的产能释放，预计三星电子的单季平均DRAM晶圆产量将首次达到200万片大关。

SK 海力士2026年的DRAM 产量将从2025年的597万片提升至648万片，增幅约为8%。这一增长主要来自于其清州M15X 工厂的扩产投资，相关产能预计从2026年下半年开始正式计入产量数据。

相比之下，美光的DRAM产能规划则显得较为保守，预计其2026年全年产量将维持在与2025年相近的360万片水平，不过其更多的新增产能将会在2027至2028年产出。

也就是说，即便是三星和SK海力士的在积极的扩大产能，他们在2026年DRAM产量相比去年总共仅能够增长85万片。

虽然目前全球三大DRAM原厂已纷纷启动产能扩张计划，但仍难以缓解目前市场上严重的DRAM供应短缺问题。而这主要是由于云端AI芯片及AI数据中心对高性能DRAM的需求呈现爆炸式成长，导致传统PC、智能手机等终端应用市场面临严重的供货短缺，预计这波DRAM涨价潮将贯穿2026年全年。

《朝鲜日报》也指出，尽管2026年DRAM晶圆投入量有所增加，但实际的芯片产出却面临技术瓶颈。业界分析指出，三星电子在推动10nm第6代DRAM（1c）制程转换的过程中，会面临暂时性的生产能力损失。这种因技术升级导致的有效产能下降，使得即便晶圆投入增加，最终的市场供应量增幅仍可能低于预期。而这种现象在全球内存短缺背景下显得尤为严峻。由于目前市场需求远超供给，业界普遍认为，这种暂时性的产能缩减将进一步支撑高频宽内存（HBM）及传统DRAM价格的持续上扬。

另外，目前的市场供需失衡程度已达到令人忧虑的水平。根据市场分析师的说法，目前DRAM 供应商对客户的需求满足率仅约为60%，而服务器专用DRAM 的满足率更是低于50%。这意味着市场上有一半的服务器內存需求无法得到及时供应。而造成这一局面的核心原因在于供应商的战略调整，也就是三星电子、SK 海力士与美光等DRAM原厂优先将先进制程节点与新建生产设施产能分配给HBM和服务器DRAM。这种资源倾斜直接导致了PC 和智能手机制造商的困境，这类终端设备商目前甚至只能取得所需DRAM的一半左右。

在目前供应极度受限的情况下，DRAM合约价格正经历剧烈震荡。市场研究机构TrendForce 预测，2026年第一季通用DRAM 的合约价格将较上一季度上涨55%至60%。此外，受益于服务器需求的大幅激增，NAND Flash 的合约价格在同期也预计将上涨33%至38%。特别是在服务器市场，预计2026年第一季服务器专用DRAM 的价格涨幅将突破60%。这种剧烈的价格波动，反映出供应商在产能受限的情况下拥有极高的议价权。

值得注意的是，尽管PC 市场的终端需求因笔记本电脑出货量减少及规格下修而显得相对疲软，但这并未能阻止价格上涨。由于DRAM厂商大幅削减了对PC 制造商和模块厂商的供应配额，PC 用DRAM 价格预计在2026年上半年仍将保持陡峭的上升趋势。

而在移动设备市场方面，供应短缺的阴影同样挥之不去。未来几个季度内，移动端的DRAM合约价格将持续呈现急剧上涨的态势。这对于手机品牌商而言，无疑将增加其生产成本压力。

面对当前的DRAM供应危机，业界专家认为，短期内难以见到根本性的缓解。全球DRAM 市场的供应短缺问题，恐需等到三星电子平泽园区P4 新工厂正式投产后才具备缓解契机。根据目前的工程进度与内部预测，P4 工厂最快也要到2027年以后才可能投入营运。同样地，SK 海力士也需要等到龙仁半导体集群正式启动运作，才能显著提升其整体的DRAM生产能力。在这些大型基础设施完工之前，全球DRAM市场将长期处于紧平衡甚至是供应不足的状态。

因此，总体来说2026年的DRAM市场正处于一个由AI 需求主导的强势周期。虽然三星与SK 海力士试图通过增加DRAM晶圆产能来缓解压力，但受限于新制程转换的产能损耗、对HBM 的资源优先配置，以及新工厂建设的长期周期，市场供给缺口在短期内依然巨大。对于下游的PC、智能手机及服务器厂商来说，如何在这波价格飚升与供货不稳的浪潮中确保供应链安全，将成为2026年最重要的经营课题。

编辑：芯智讯-林子