海古德申请氮化硅陶瓷基板生坯检测方法专利,提升缺陷检测准确性
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2026-02-06 04:20:30
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国家知识产权局信息显示,江苏海古德半导体科技有限公司申请一项名为“一种用于氮化硅陶瓷基板的生坯检测方法与系统”的专利,公开号CN121453938A,申请日期为2025年10月。

专利摘要显示,本发明公开了一种用于氮化硅陶瓷基板的生坯检测方法与系统,涉及生坯检测技术领域。该用于氮化硅陶瓷基板的生坯检测方法,通过获取设定陶瓷基板生坯的多角度生坯表面图像数据以及生坯内部超声检测信号数据;基于预训练的生坯表面识别模型,并结合设定陶瓷基板生坯的多角度生坯表面图像数据,分析表面缺陷聚合特征值;基于超声检测信号数据,分析超声缺陷异构特征值,并结合表面缺陷聚合特征值,分析设定陶瓷基板生坯的生坯缺陷协同响应特征值,本发明基于生坯缺陷协同响应特征值对设定陶瓷基板生坯进行质量检测处理,从而有效揭示缺陷在表面与内部之间的交互影响,进而实现对陶瓷基板生坯缺陷的全方位评估,以此提升了缺陷检测的准确性。

天眼查资料显示,江苏海古德半导体科技有限公司,成立于2022年,位于盐城市,是一家以从事通用设备制造业为主的企业。企业注册资本30000万人民币。通过天眼查大数据分析,江苏海古德半导体科技有限公司参与招投标项目22次,专利信息19条,此外企业还拥有行政许可49个。

声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。

来源:市场资讯

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