华太电子申请一种LDMOS器件专利，解决了电阻较大的技术问题
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2026-08-05 05:42:59
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国家知识产权局信息显示，苏州华太电子技术股份有限公司申请一项名为“一种LDMOS器件”的专利，公开号CN122514015A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体技术领域，提供一种LDMOS器件，包括：N型衬底；设置在衬底的背侧的接地金属；P型第一外延层，形成在所述衬底之上；P型第二外延层，形成在第一外延层之上，其中，第二外延层的掺杂浓度小于第一外延层的掺杂浓度；LDMOS功能层，形成在第二外延层之上；源极接触孔，设置为将所述LDMOS功能层的源极连接至所述衬底。本申请解决了传统的LDMOS器件的钨塞直接和P型衬底连接源极电位和衬底电位的方式导致电阻较大的技术问题。

天眼查资料显示，苏州华太电子技术股份有限公司，成立于2010年，位于苏州市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本38473.6371万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州华太电子技术股份有限公司共对外投资了12家企业，参与招投标项目18次，财产线索方面有商标信息68条，专利信息513条，此外企业还拥有行政许可11个。

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来源：市场资讯

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