近日，海目星激光旗下子公司海目芯微宣布成功研制出12英寸碳化硅（SiC）单晶晶锭，标志着公司在6英寸、8英寸及12英寸全尺寸长晶技术链上实现全面自主可控，进一步巩固了国内企业在大尺寸碳化硅材料领域的研发实力。

图片来源：海目芯微官微

据了解，12英寸碳化硅晶体生长面临热梯度复杂、内应力增加、缺陷控制难度大等核心技术瓶颈，对热场设计、温度控制及生长工艺的精准度要求极高。

海目芯微依托自主研发的电阻式长晶设备与持续迭代的工艺技术，通过创新性温场设计与晶体完整性控制迭代，有效保障了大尺寸晶体的稳定生长。本次制备的晶锭结晶质量优异、结构完整，充分展现了公司在核心技术与工艺上的双重突破。

海目芯微表示，将持续聚焦长晶、衬底加工等核心痛点，以技术创新构建竞争力，推动大尺寸碳化硅材料产业化进程。

1、12英寸碳化硅“朋友圈”逐渐扩大

作为第三代半导体核心材料，碳化硅具备高禁带宽度、高热导率、高耐压性等优势，在新能源汽车、光伏储能、智能电网、AI基础设施及AR/VR等领域需求旺盛。

而12英寸衬底相较于8英寸产品，单片晶圆芯片产出量可提升2.5倍，能显著降低单位制造成本，是推动碳化硅产业规模化应用的关键方向。

随着大尺寸碳化硅技术价值凸显，国内已有多家企业实现12英寸碳化硅晶体或衬底技术突破。>>>点击获取更多内容信息聚焦12英寸SiC，16家国内厂商“群雄并起”

天岳先进2025年3月在亚洲化合物半导体大会上全球首发全系列12英寸碳化硅衬底，包括高纯半绝缘型、导电P型及N型产品，其中高纯半绝缘型与P型衬底为全球首展，目前已获得全球头部客户订单，技术覆盖功率、射频及光学等多场景需求。

烁科晶体则是在2024年12月全球首次实现300mm半绝缘SiC晶圆及12英寸N型碳化硅衬底研制，标志着在大直径扩径工艺与低缺陷生长技术上达到国际先进水平。

晶盛机电旗下子公司浙江晶瑞Super SiC于2025年5月实现12英寸导电型碳化硅单晶生长突破，首颗晶体直径达309mm；2025年9月搭建的12英寸中试线正式通线，实现全流程覆盖且核心设备100%国产化；2026年1月进一步突破衬底厚度均匀性（TTV）≤1μm的关键指标，攻克精密加工难题。

天成半导体于2025年10月依托自研设备研制出12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶材料，N型晶体有效厚度突破35mm，在晶体厚度控制上实现重要进展。

同光半导体展示12英寸导电型SiC晶锭（高度20+mm），处于研发验证阶段；其他企业例如合盛硅业、南砂晶圆、科友半导体等也相继突破12英寸晶体生长或衬底制备技术，形成差异化竞争态势。

外延与设备端同步突破。2025年12月，#瀚天天成 全球首发12英寸碳化硅外延晶片，外延层厚度不均匀性≤3%，掺杂浓度不均匀性≤8%，2mm×2mm芯片良率突破96%，满足高端功率器件量产需求；#晶升股份自主研发的12英寸碳化硅单晶炉完成小批量发货，填补国产大尺寸长晶设备空白。

2、结语

国内企业密集突破12英寸碳化硅晶体生长、衬底制备及外延工艺，实现从材料到设备的全链条自主可控，绝非单纯的技术迭代，更是我国在第三代半导体领域打破海外垄断、掌握产业话语权的关键跨越，对产业链升级、下游应用普及及国家战略安全均具有深远且多元的核心作用。

相信在2026年，我国12英寸碳化硅产业将迎来更多突破性进展，逐步推动我国在全球宽禁带半导体产业价值链中占据核心位置。

（文/集邦化合物半导体 金水 整理）

<<<